məhsul xüsusiyyətləri:
| TİP | TƏSVİR ETMƏK |
| kateqoriya | İnteqrasiya edilmiş dövrə (IC) Daxili - FPGA (Sahə Proqramlaşdırıla bilən Qapılar Array) |
| istehsalçı | AMD Xilinx |
| seriyası | Maddə 7 |
| Paket | nimçə |
| məhsul statusu | anbarda |
| LAB/CLB sayı | 4075 |
| Məntiq elementlərinin/vahidlərinin sayı | 52160 |
| Ümumi RAM bitləri | 2764800 |
| I/O sayı | 106 |
| Gərginlik - Güclü | 0.95V ~ 1.05V |
| quraşdırma növü | Səthə montaj növü |
| İşləmə temperaturu | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Paket/qoşulma | 238-LFBGA, CSPBGA |
| Təchizatçı Cihaz Qablaşdırması | 238-CSBGA (10x10) |
| Əsas məhsul nömrəsi | XC7A50 |
səhv haqqında məlumat verin
Ətraf Mühit və İxrac Təsnifatı:
| ATRIBUTLAR | TƏSVİR ETMƏK |
| RoHS statusu | ROHS3 spesifikasiyasına uyğundur |
| Nəmlik Həssaslıq Səviyyəsi (MSL) | 3 (168 saat) |
| REACH statusu | REACH olmayan məhsullar |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
DC Xüsusiyyətləri
Artix-7 FPGA məlumat vərəqi:
DC və AC keçid xüsusiyyətləri
DS181 (v1.27) 10 fevral 2022-ci il
Məhsulun spesifikasiyası
Cədvəl 1: Mütləq Maksimum Reytinqlər(1)
Simvol Təsvir Min Maks Vahidlər
FPGA məntiqi
VCCINT
Daxili təchizatı gərginliyi –0,5 1,1 V
VCCAUX
Köməkçi təchizatı gərginliyi –0,5 2,0 V
VCCBRAM
RAM yaddaş blokunun təchizatı gərginliyi –0,5 1,1 V
VCCO
Çıxış sürücüləri HR I/O bankları üçün təchizatı gərginliyi –0,5 3,6 V
VREF
Giriş istinad gərginliyi –0,5 2,0 V
VIN(2)(3)(4)
I/O giriş gərginliyi –0,4 VCCO + 0,55 V
VREF və diferensial I/O standartları üçün I/O giriş gərginliyi (VCCO = 3.3V olduqda)
TMDS_33(5) istisna olmaqla
–0,4 2,625 V
VCCBATT
Açar yaddaş batareyasının ehtiyat təchizatı –0,5 2,0 V
GTP ötürücü
VMGTAVCC
GTP ötürücü və qəbuledici sxemləri üçün analoq təchizatı gərginliyi –0,5 1,1 V
VMGTAVTT
GTP ötürücü və qəbuledicinin son dövrələri üçün analoq təchizatı gərginliyi –0,5 1,32 V
VMGTREFCLK
İstinad saatı mütləq giriş gərginliyi –0,5 1,32 V
Cədvəl 2: Tövsiyə olunan Əməliyyat Şərtləri(1)(2)
Simvol Təsvir Min Tip Maks Vahidlər
FPGA məntiqi
VCCINT(3)
-3, -2, -2LE (1,0V), -1, -1Q, -1M cihazlar üçün: daxili təchizatı gərginliyi 0,95 1,00 1,05 V
-1LI (0,95V) cihazlar üçün: daxili təchizatı gərginliyi 0,92 0,95 0,98 V
-2LE (0,9V) cihazlar üçün: daxili təchizatı gərginliyi 0,87 0,90 0,93 V
VCCAUX
Köməkçi təchizatı gərginliyi 1,71 1,80 1,89 V
VCCBRAM(3)
-3, -2, -2LE (1.0V), -2LE (0.9V), -1, -1Q, -1M cihazlar üçün: blok RAM təchizatı
gərginlik
0,95 1,00 1,05 V
-1LI (0,95V) cihazlar üçün: blok RAM təchizatı gərginliyi 0,92 0,95 0,98 V
VCCO(4)(5)
HR I/O bankları üçün təchizatı gərginliyi 1,14 – 3,465 V
VIN(6)
I/O giriş gərginliyi –0,20 – VCCO + 0,20 V
VREF və diferensial I/O standartları üçün I/O giriş gərginliyi (VCCO = 3.3V olduqda)
TMDS_33(7) istisna olmaqla
–0,20 – 2,625 V
İIN(8)
Güclü və ya enerjisiz bankda hər hansı bir pin vasitəsilə maksimum cərəyan
sıxac diodunun irəli əyilməsi.
– – 10 mA
VCCBATT(9)
Batareyanın gərginliyi 1,0 – 1,89 V
GTP ötürücü
VMGTAVCC(10)
GTP ötürücü və qəbuledici sxemləri üçün analoq təchizatı gərginliyi 0,97 1,0 1,03 V
VMGTAVTT(10)
GTP ötürücü və qəbuledicinin son dövrələri üçün analoq təchizatı gərginliyi 1,17 1,2 1,23 V
